Les mémoires drames les plus avancées disponibles jusqu'à présent ont été gravées dans 20 nanomètres. Leur miniaturisation constitue des défis sacrés. Parce que, contrairement à d'autres circuits intégrés électroniques constitués uniquement de transistors, tels que des processeurs ou des mémoires éclair, ils sont caractérisés par un micro-marché hybride complexe. Chaque cellule de mémoire combine un transistor et un condensateur dans lequel les informations binaires sont stockées sous la forme d'une charge électrique. C'est ce condensateur, il y a l'élément le plus difficile à la miniature. Cela explique le retard des mémoires de DRAM sur les processeurs dont la gravure diminue aujourd'hui jusqu'à 14 nanomètres.
