Samsung produit des mémoires DDR4 en 18 nanomètres

Les mémoires drames les plus avancées disponibles jusqu'à présent ont été gravées dans 20 nanomètres. Leur miniaturisation constitue des défis sacrés. Parce que, contrairement à d'autres circuits intégrés électroniques constitués uniquement de transistors, tels que des processeurs ou des mémoires éclair, ils sont caractérisés par un micro-marché hybride complexe. Chaque cellule de mémoire combine un transistor et un condensateur dans lequel les informations binaires sont stockées sous la forme d'une charge électrique. C'est ce condensateur, il y a l'élément le plus difficile à la miniature. Cela explique le retard des mémoires de DRAM sur les processeurs dont la gravure diminue aujourd'hui jusqu'à 14 nanomètres.

Samsung produit des mémoires DDR4 en 18 nanomètres.jpg, avr. 2016
Samsung produit des mémoires DDR4 en 18 nanomètres

 

Samsung réussit à la miniaturisation de DRAM RAM. L'électronicien coréen lance la production de volume d'une puce de 8 gigabits de génération de stockage de quatrième génération de stockage de données dans 18 nanomètres. Il reste vaguement sur les amendes avec une gravure utilisée en indiquant simplement une plage de 10 à 19 nanomètres. Mais c'est en fait une gravure de 18 nanomètres. Un monde en premier.
En allant à 18 nanomètres, Samsung ne fait que 2 nanomètres par rapport à la génération précédente. Un résultat maigre montrant des difficultés avec une miniaturisation de cette famille de copeaux électroniques cruciales pour les PC, les serveurs et les mobiles. Mais pour le groupe Séoul, il suffit de prendre une nouvelle étape dans l'amélioration des performances et de la réduction de la racine et de la consommation.

 Au quatrième trimestre de 2015, Samsung CaraCole est devenu responsable des mémoires de DRAM avec 46,4% du marché mondial conformément à la TRENDFORCE, devant son comparateur SK Hynix (27,9%) et la technologie Micron américaine (18,9%). Son passage pour une gravure de 18 nanomètres devrait renforcer sa gestion sur ses deux plus grands concurrents, toujours en phase de transition pour gravurer 20 nanomètres.

Par rapport à la génération précédente, Samsung promet une gaine de 30% du taux de transfert de données et une diminution de la consommation d'énergie de 10 à 20% dans les modules de mémoire. La nouvelle puce est destinée aux PC, aux serveurs et à d'autres équipements de centre de données. Mais le groupe coréen prévoit d'introduire prochainement une version pour les mobiles.

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